FDS5692Z概述
N沟道UltraFET沟槽MOSFET 50V ， 5.8A ， 24米欧姆 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm
N-Channel 50V 5.8A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
立创商城:
N沟道 50V 5.8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-Pin SOIC N T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC
FDS5692Z中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 20.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1025pF @25VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 6 ns
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDS5692Z
型号： FDS5692Z
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道UltraFET沟槽MOSFET 50V ， 5.8A ， 24米欧姆 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 50V, 5.8A, 24m Ohm