FQP70N08参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQP70N08概述

80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

N-Channel 80 V 70A Tc 155W Tc Through Hole TO-220-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3

立创商城:
N沟道 80V 70A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail

Win Source:
80V N-Channel MOSFET

FQP70N08中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 70.0 A

漏源极电阻 17.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 155W Tc

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 70.0 A

输入电容Ciss 2700pF @25VVds

额定功率Max 155 W

耗散功率Max 155W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP70N08

型号： FQP70N08

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

替代型号FQP70N08