FQP9N50

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FQP9N50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 730 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 147 W

输入电容 1.10 nF

栅电荷 28.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 1450pF @25VVds

额定功率Max 147 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 147W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买FQP9N50
型号: FQP9N50
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

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