FQI3N90TU

FQI3N90TU图片1
FQI3N90TU图片2
FQI3N90TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 900 V

额定电流 3.60 A

通道数 1

漏源极电阻 4.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.60 A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 910pF @25VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 4.83 mm

高度 7.88 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQI3N90TU
型号: FQI3N90TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3Pin3+Tab I2PAK T/R
替代型号FQI3N90TU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQI3N90TU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQI3N90

飞兆/仙童

功能相似

FQI3N90TU和FQI3N90的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台