FDFS2P103概述
集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
P-Channel 30 V 5.3A Ta 900mW Ta Surface Mount 8-SOIC
得捷:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
立创商城:
P沟道 30V 5.3A
贸泽:
MOSFET P-Ch PowerTrench Integrated
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
FDFS2P103中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -5.30 A
通道数 1
漏源极电阻 59 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 5.30 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 528pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDFS2P103
型号： FDFS2P103
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode