FDFS2P103

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FDFS2P103概述

集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

P-Channel 30 V 5.3A Ta 900mW Ta Surface Mount 8-SOIC


得捷:
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC


立创商城:
P沟道 30V 5.3A


贸泽:
MOSFET P-Ch PowerTrench Integrated


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R


FDFS2P103中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -5.30 A

通道数 1

漏源极电阻 59 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 5.30 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 528pF @15VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 900mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDFS2P103
型号: FDFS2P103
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

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