FQD6N60CTM概述
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
N-Channel 600V 4A Tc 80W Tc Surface Mount D-Pak
立创商城:
N沟道 600V 4A
得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
贸泽:
MOSFET N-CH/600V/6A/ QFET C-Series
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
FQD6N60CTM中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 810pF @25VVds
额定功率Max 80 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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