FQD6N50CTM_F080

FQD6N50CTM_F080图片1
FQD6N50CTM_F080图片2
FQD6N50CTM_F080图片3
FQD6N50CTM_F080图片4
FQD6N50CTM_F080图片5
FQD6N50CTM_F080图片6
FQD6N50CTM_F080中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 61W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4.5A

输入电容Ciss 700pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 61W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQD6N50CTM_F080
型号: FQD6N50CTM_F080
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台