FQU7N10LTU

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FQU7N10LTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 5.80 A

漏源极电阻 350 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 5.80 A

输入电容Ciss 290pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQU7N10LTU
型号: FQU7N10LTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.8A 3Pin3+Tab IPAK Rail

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