额定电压DC 800 V
额定电流 1.80 A
漏源极电阻 6.30 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD2N80TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD2N80TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD2N80TF和FQD2N80TM的区别 |
STD3NK80ZT4 意法半导体 | 功能相似 | FQD2N80TF和STD3NK80ZT4的区别 |
STD3NK80Z-1 意法半导体 | 功能相似 | FQD2N80TF和STD3NK80Z-1的区别 |