FDS6672A

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FDS6672A概述

30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low R

DSON

and fast switching speed.

Product Highlights

12.5 A, 30 V.

R

DSON

= 8 m

W

@ V

GS

= 10 V

R

DSON

= 9.5 m

W

@ V

GS

= 4.5 V


得捷:
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC


立创商城:
N沟道 30V 12.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC N T/R


Win Source:
30V N-Channel PowerTrench MOSFET


FDS6672A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 12.5 A

漏源极电阻 6.80 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 5.07 nF

栅电荷 33.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 12.5 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 5070pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 28 ns

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6672A
型号: FDS6672A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDS6672A
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