FDS6812A参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS6812A概述

双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 6.7A 900mW Surface Mount 8-SO

立创商城:
2个N沟道 20V 6.7A

得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC

FDS6812A中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 6.70 A

漏源极电阻 22.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.00 W

输入电容 1.08 nF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 6.70 A

上升时间 8.00 ns

输入电容Ciss 1082pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6812A

型号： FDS6812A

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET

替代型号FDS6812A