FQB15P12TM概述
P沟道 120V 15A
P-Channel 120V 15A Tc 3.75W Ta, 100W Tc Surface Mount D²PAK TO-263AB
得捷:
MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
立创商城:
P沟道 120V 15A
贸泽:
MOSFET 120V P-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 120V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
FQB15P12TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -120 V
额定电流 -15.0 A
漏源极电阻 200 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 120 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 1100pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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