FDY2001PZ

FDY2001PZ图片1
FDY2001PZ图片2
FDY2001PZ图片3
FDY2001PZ图片4
FDY2001PZ图片5
FDY2001PZ图片6
FDY2001PZ图片7
FDY2001PZ中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 8 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 630 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 150 mA

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 100pF @10VVds

额定功率Max 446 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDY2001PZ
型号: FDY2001PZ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:指定的双P沟道( -2.5V )的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel -2.5V Specified PowerTrench MOSFET
替代型号FDY2001PZ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDY2001PZ

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FDY2000PZ

飞兆/仙童

类似代替

FDY2001PZ和FDY2000PZ的区别

NTUD3171PZT5G

安森美

功能相似

FDY2001PZ和NTUD3171PZT5G的区别

NTUD3129PT5G

安森美

功能相似

FDY2001PZ和NTUD3129PT5G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台