FDD8580中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 25.0 A
漏源极电阻 6.60 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 49.5W Tc
输入电容 1.44 nF
栅电荷 27.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 11.0 ns
输入电容Ciss 1445pF @10VVds
额定功率Max 49.5 W
耗散功率Max 49.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDD8580
型号： FDD8580
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道PowerTrench MOSFET的20V ， 35A ， 9mohm N-Channel PowerTrench MOSFET 20V, 35A, 9mohm
替代型号FDD8580
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD8580 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDU8580 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD8580和FDU8580的区别 |