FDD24AN06LA0

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FDD24AN06LA0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 36.0 A

漏源极电阻 91.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 75W Tc

输入电容 1.85 nF

栅电荷 16.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 118 ns

输入电容Ciss 1850pF @25VVds

额定功率Max 75 W

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD24AN06LA0
型号: FDD24AN06LA0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET N CHANNEL LOGIC LEVEL POWER TRENCH MOSFET
替代型号FDD24AN06LA0
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