FDS6894AZ

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FDS6894AZ中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 17.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 1.46 nF

栅电荷 14.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1455pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6894AZ
型号: FDS6894AZ
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
替代型号FDS6894AZ
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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