FDB2670概述
200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
N-Channel 200V 19A Ta 93W Tc Surface Mount TO-263AB
立创商城:
N沟道 200V 19A
得捷:
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin2+Tab TO-263AB Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
FDB2670中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 19.0 A
漏源极电阻 130 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 93W Tc
输入电容 1.32 nF
栅电荷 27.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 5.00 ns
输入电容Ciss 1320pF @100VVds
额定功率Max 93 W
耗散功率Max 93W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDB2670
型号： FDB2670
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：200V N沟道PowerTrench MOSFET的 200V N-Channel PowerTrench MOSFET