FQD1N80TF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 1.00 A
漏源极电阻 15.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 45W Tc
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
输入电容Ciss 195pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQD1N80TF
替代型号FQD1N80TF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD1N80TF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD1N80TM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD1N80TF和FQD1N80TM的区别 |