FQPF50N06L参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQPF50N06L概述

LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary,

planar stripe, DMOS technology.

Features

• 32.6A, 60V, RDSon= 0.021Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge typical 24.5 nC

• Low Crss typical 90 pF

• Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• 175°C maximum junction temperature rating

FQPF50N06L中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 32.6 A

漏源极电阻 21.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 47 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 32.6 A

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

耗散功率Max 47W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF50N06L

型号： FQPF50N06L

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET

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替代型号FQPF50N06L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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