FQA16N50参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQA16N50概述

500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

N-Channel 500V 16A Tc 200W Tc Through Hole TO-3P

得捷:
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P

立创商城:
N沟道 500V 16A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin3+Tab TO-3P Rail

FQA16N50中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 16.0 A

漏源极电阻 320 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 200 W

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQA16N50

型号： FQA16N50

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

替代型号FQA16N50