FQB12P10TM

FQB12P10TM图片1
FQB12P10TM图片2
FQB12P10TM图片3
FQB12P10TM图片4
FQB12P10TM图片5
FQB12P10TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -11.5 A

漏源极电阻 240 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.75 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.5 A

上升时间 160 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 3.75 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.75W Ta, 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB12P10TM
型号: FQB12P10TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB12P10TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB12P10TM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQB12N60CTM

飞兆/仙童

功能相似

FQB12P10TM和FQB12N60CTM的区别

FQB12N60TM_AM002

飞兆/仙童

功能相似

FQB12P10TM和FQB12N60TM_AM002的区别

FQB12N20L

飞兆/仙童

功能相似

FQB12P10TM和FQB12N20L的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台