FDD6796中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.7 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 2315pF @13VVds
额定功率Max 3.7 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.7W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDD6796
型号： FDD6796
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 25 V ， 40 A ， 5.7米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 25 V, 40 A, 5.7 mヘ
替代型号FDD6796
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6796 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD6796A 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD6796和FDD6796A的区别 |