N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 50A ， 14.6米？ N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 14.6m???
N-Channel 60 V 9.5A Ta, 50A Tc 125W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
立创商城:
N沟道 60V 50A 9.5A
贸泽:
MOSFET N-Channel PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A Automotive 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
额定电压DC 60.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 14.6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
输入电容 2.81 nF
栅电荷 25.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 132 ns
输入电容Ciss 2810pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 47 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD14AN06LA0 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FDD14AN06LA0和STP55NF06的区别 |
STD6N95K5 意法半导体 | 功能相似 | FDD14AN06LA0和STD6N95K5的区别 |