600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
N-Channel 600V 20A Tc 208W Tc Through Hole TO-247-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
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N沟道 600V 20A
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MOSFET 600V N-Channel SuperFET
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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail
Win Source:
600V N-Channel MOSFET
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
输入电容 3.08 nF
栅电荷 98.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 3080pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FCH20N60 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FCA20N60 飞兆/仙童 | 完全替代 | FCH20N60和FCA20N60的区别 |
FCP20N60 飞兆/仙童 | 功能相似 | FCH20N60和FCP20N60的区别 |
FCA20N60F 飞兆/仙童 | 功能相似 | FCH20N60和FCA20N60F的区别 |