FQPF9N30概述
300V N沟道MOSFET 300V N-Channel MOSFET
N-Channel 300 V 6A Tc 42W Tc Through Hole TO-220F-3
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N沟道 300V 6A
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MOSFET N-CH 300V 6A TO220F
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MOSFET 300V N-Channel QFET
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Trans MOSFET N-CH 300V 6A 3-Pin3+Tab TO-220F Rail
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MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F
FQPF9N30中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 6.00 A
漏源极电阻 450 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 740pF @25VVds
额定功率Max 42 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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