FQPF44N08

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FQPF44N08中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 41W Tc

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 25A

输入电容Ciss 1430pF @25VVds

耗散功率Max 41W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: FQPF44N08
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:80V N沟道MOSFET 80V N-Channel MOSFET

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