FQB6N60TM

FQB6N60TM图片1
FQB6N60TM图片2
FQB6N60TM图片3
FQB6N60TM图片4
FQB6N60TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 6.20 A

漏源极电阻 1.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.13W Ta, 130W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 6.20 A

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

耗散功率Max 3.13W Ta, 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB6N60TM
型号: FQB6N60TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 600V 6.2A
替代型号FQB6N60TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB6N60TM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STB9NK60ZT4

意法半导体

功能相似

FQB6N60TM和STB9NK60ZT4的区别

STB6NK60ZT4

意法半导体

功能相似

FQB6N60TM和STB6NK60ZT4的区别

STB4NK60ZT4

意法半导体

功能相似

FQB6N60TM和STB4NK60ZT4的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台