600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
N-Channel 600 V 3A Tc 75W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
立创商城:
N沟道 600V 3A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin 3+Tab TO-220 Rail
额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 3.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
输入电容Ciss 450pF @25VVds
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP3N60 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FQP3N60和STP55NF06的区别 |
STP120NF10 意法半导体 | 功能相似 | FQP3N60和STP120NF10的区别 |
SPA04N80C3 英飞凌 | 功能相似 | FQP3N60和SPA04N80C3的区别 |