集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管-20V , -3A , 150mohm Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode -20V, -3A, 150mohm
P-Channel 20 V 3A Ta 1.5W Ta Surface Mount SuperSOT™-6
得捷:
MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6
立创商城:
P沟道 20V 3A
贸泽:
MOSFET -20V Integrate P-Ch PT MOSFET-Schtky Dio
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6
漏源极电阻 0.15 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 445pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99