Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3Pin2+Tab DPAK T/R
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
Features
• 7.8 A,200 V, RDSon = 360 mΩ Max.@ VGS = 10 V, ID= 3.9 A
• Low Gate Charge Typ. 20 nC
• Low Crss Typ. 40.5pF
• 100% Avalanche Tested
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定电压DC 200 V
额定电流 7.80 A
漏源极电阻 290 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.80 A
输入电容Ciss 510pF @25VVds
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD10N20CTF Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQD10N20CTM 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQD10N20CTF和FQD10N20CTM的区别 |