FDD5N53TM_WS

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FDD5N53TM_WS中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 530 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 640pF @25VVds

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD5N53TM_WS
型号: FDD5N53TM_WS
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 530V 4A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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