FDFS2P102概述
集成的P沟道MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel MOSFET and Schottky Diode
P-Channel 20 V 3.3A Ta 900mW Ta Surface Mount 8-SOIC
立创商城:
P沟道 20V 3.3A
得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R
FDFS2P102中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.30 A
漏源极电阻 125 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 900mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.30 A
上升时间 7.00 ns
输入电容Ciss 270pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
耗散功率Max 900mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDFS2P102
型号： FDFS2P102
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：集成的P沟道MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel MOSFET and Schottky Diode