N沟道 500V 350mA
N-Channel 500V 350mA Tc 1.5W Tc Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3
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N沟道 500V 350mA
贸泽:
MOSFET 500V Single
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin TO-92L Bulk
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L
额定电压DC 500 V
额定电流 350 mA
漏源极电阻 4.20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 350 mA
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 230pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FQNL2N50BBU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQNL2N50BTA 飞兆/仙童 | 功能相似 | FQNL2N50BBU和FQNL2N50BTA的区别 |