FQNL2N50BBU

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FQNL2N50BBU概述

N沟道 500V 350mA

N-Channel 500V 350mA Tc 1.5W Tc Through Hole TO-92-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 350MA TO92-3


立创商城:
N沟道 500V 350mA


贸泽:
MOSFET 500V Single


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.35A 3-Pin TO-92L Bulk


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L


FQNL2N50BBU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 350 mA

漏源极电阻 4.20 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 350 mA

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.5W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQNL2N50BBU
型号: FQNL2N50BBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道 500V 350mA
替代型号FQNL2N50BBU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQNL2N50BBU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQNL2N50BTA

飞兆/仙童

功能相似

FQNL2N50BBU和FQNL2N50BTA的区别

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