FDB20AN06A0

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FDB20AN06A0概述

N沟道的PowerTrench ? MOSFET 60V , 45A ,20M ? N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???

N-Channel 60V 9A Ta, 45A Tc 90W Tc Surface Mount TO-263AB


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N沟道 60V 45A 9A


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Win Source:
MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB


FDB20AN06A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 45.0 A

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

输入电容 1.15 nF

栅电荷 40.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 98.0 ns

输入电容Ciss 950pF @25VVds

额定功率Max 90 W

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB20AN06A0
型号: FDB20AN06A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道的PowerTrench ? MOSFET 60V , 45A ,20M ? N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 45A, 20m???
替代型号FDB20AN06A0
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