600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
N-Channel 600V 5.8A Tc 55W Tc Through Hole TO-220F
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MOSFET N-CH 600V 5.8A TO220F
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N沟道 600V 5.8A
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MOSFET 600V N-Channel QFET
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Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R
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Trans MOSFET N-CH 600V 5.8A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R
额定电压DC 600 V
额定电流 10.5 A
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 55 W
输入电容 1.90 nF
栅电荷 54.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.80 A
上升时间 115 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
额定功率Max 55 W
下降时间 85 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 55W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF12N60T Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQPF12N60 飞兆/仙童 | 完全替代 | FQPF12N60T和FQPF12N60的区别 |
FQPF12N60C 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQPF12N60T和FQPF12N60C的区别 |
STP10NK60ZFP 意法半导体 | 功能相似 | FQPF12N60T和STP10NK60ZFP的区别 |