FDS9412参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS9412概述

单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel 30V 7.9A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC

立创商城:
FDS9412

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.9A 8-Pin SOIC N T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9412 MOSFET Transistor, N Channel, 7.9 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 1.6 V

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC

FDS9412中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 7.90 A

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.6 V

输入电容 830 pF

栅电荷 14.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 7.90 A

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 830pF @15VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS9412

型号： FDS9412

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：单N沟道增强型场效应晶体管 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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替代型号FDS9412

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