CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24C04B-G 芯片, 存储器, FRAM, 4K, I2C, 8SOIC
F-RAM,
铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
### FRAM(铁电 RAM)
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
得捷:
IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
立创商城:
FM24C04B-G
欧时:
Cypress Semiconductor FM24C04B-G 4kbit 串行2线、串行I2C FRAM 存储器, 512 x 8 位, 4.5 → 5.5 V
艾睿:
FRAM 4Kbit Serial-I2C Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 4K-Bit 5V 8-Pin SOIC
Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 4K-Bit 5V 8-Pin SOIC
TME:
Memory; FRAM; I2C; 512x8bit; 4kbit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Verical:
FRAM 4Kbit Serial-I2C Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube
Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR FM24C04B-G FRAM, 4K, I2C, 8SOIC
Win Source:
IC FRAM 4KBIT 1MHZ 8SOIC
电源电压DC 4.50V min
供电电流 0.4 mA
针脚数 8
时钟频率 1 MHz
存取时间 550 ns
内存容量 500 B
存取时间Max 550 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Each
制造应用 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FM24C04B-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
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