FM24C04B-G

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FM24C04B-G概述

CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM24C04B-G  芯片, 存储器, FRAM, 4K, I2C, 8SOIC

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


得捷:
IC FRAM 4KBIT I2C 1MHZ 8SOIC


立创商城:
FM24C04B-G


欧时:
Cypress Semiconductor FM24C04B-G 4kbit 串行2线、串行I2C FRAM 存储器, 512 x 8 位, 4.5 → 5.5 V


艾睿:
FRAM 4Kbit Serial-I2C Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 4K-Bit 5V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 4K-Bit 5V 8-Pin SOIC


TME:
Memory; FRAM; I2C; 512x8bit; 4kbit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8


Verical:
FRAM 4Kbit Serial-I2C Interface 5V Automotive 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM24C04B-G  FRAM, 4K, I2C, 8SOIC


Win Source:
IC FRAM 4KBIT 1MHZ 8SOIC


FM24C04B-G中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.50V min

供电电流 0.4 mA

针脚数 8

时钟频率 1 MHz

存取时间 550 ns

内存容量 500 B

存取时间Max 550 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Each

制造应用 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FM24C04B-G引脚图与封装图
FM24C04B-G引脚图
FM24C04B-G封装图
FM24C04B-G封装焊盘图
在线购买FM24C04B-G
型号: FM24C04B-G
描述:CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM24C04B-G  芯片, 存储器, FRAM, 4K, I2C, 8SOIC
替代型号FM24C04B-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Cypress Semiconductor 赛普拉斯

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完全替代

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