FM24CL16B-DGTR

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FM24CL16B-DGTR概述

16Kb的串行3V F-RAM存储器 16Kb Serial 3V F-RAM Memory

Description

The FM24CL16B is a 16-kilobit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A ferroelectric random access memory or FRAM is nonvolatile and performs reads and writes like a RAM. It provides reliable data retention for 38 years while eliminating the complexities, overhead, and system level reliability problems caused by EEPROM and other nonvolatile memories.

Features

16K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM

• Organized as 2,048 x 8 bits

• High Endurance 1014 Read/Writes

• 38 year Data Retention

• NoDelay™ Writes

• Advanced High-Reliability Ferroelectric Process

Fast Two-wire Serial Interface

• Up to 1MHz Maximum Bus Frequency

• Direct Hardware Replacement for EEPROM

• Supports legacy timing for 100 kHz & 400 kHz

Low Power Operation

• 2.7 - 3.65V Operation

• 100 A Active Current 100 kHz

• 3 A typ. Standby Current

Industry Standard Configuration

• Industrial Temperature -40 C to +85 C

• 8-pin “Green”/RoHS SOIC and TDFN Packages

FM24CL16B-DGTR中文资料参数规格
技术参数

存取时间Max 550 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDFN-8

外形尺寸

封装 TDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FM24CL16B-DGTR引脚图与封装图
FM24CL16B-DGTR引脚图
FM24CL16B-DGTR封装图
FM24CL16B-DGTR封装焊盘图
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型号: FM24CL16B-DGTR
描述:16Kb的串行3V F-RAM存储器 16Kb Serial 3V F-RAM Memory
替代型号FM24CL16B-DGTR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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FM24CL16B-DGTR和FM24CL16B-DG的区别

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