FM24V01-G

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FM24V01-G概述

F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

F-RAM,

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗


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FM24V01-G


欧时:
### F-RAM,Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。


贸泽:
F-RAM IIC FRAM 128k 2.0V


艾睿:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 128Kbit 3.3V Automotive 8-Pin SOIC


安富利:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 128K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 128Kbit 3.3V Automotive 8-Pin SOIC


Verical:
NVRAM FRAM Serial-2Wire 128Kbit 3.3V Automotive 8-Pin SOIC


Win Source:
IC FRAM 128KBIT 3.4MHZ 8SOIC


FM24V01-G中文资料参数规格
技术参数

频率 3.4 MHz

供电电流 1 mA

存取时间 130 ns

存取时间Max 130 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.98 mm

宽度 3.987 mm

高度 1.478 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

FM24V01-G引脚图与封装图
FM24V01-G引脚图
FM24V01-G封装图
FM24V01-G封装焊盘图
在线购买FM24V01-G
型号: FM24V01-G
描述:F-RAM,Cypress Semiconductor Ferroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 ### FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
替代型号FM24V01-G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FM24V01-G

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

当前型号

当前型号

FM24V05-GTR

赛普拉斯

完全替代

FM24V01-G和FM24V05-GTR的区别

FM24V01-GTR

赛普拉斯

完全替代

FM24V01-G和FM24V01-GTR的区别

FM24V10-G

赛普拉斯

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