FM25V02A-G

F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

F-RAM，

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

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Cypress Semiconductor FM25V02A-G 256kbit SPI FRAM 存储器, 32K x 8 位, 2 → 3.6 V, -40 → +85 °C

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CUSTOM REEL - FM25V02A-G

贸泽:
NVRAM NVRAM FRAM Memory Serial

艾睿:
FRAM 256Kbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin SOIC N Tube

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NVRAM FRAM Serial-SPI 256K-Bit 3.3V 8-Pin SOIC Tube

TME:
Memory; FRAM; SPI; 32kx8bit; 256kbit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8

Verical:
FRAM 256Kbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin SOIC N Tube