F-RAM,Cypress Semiconductor FRAM(铁电 RAM) FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Description
The FM25V02 is a 256-kilobit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. A
ferroelectric random access memory or F-RAM is nonvolatile and performs reads and writes like a
RAM. It provides reliable data retention for 10 years while eliminating the complexities, overhead, and
system level reliability problems caused by Serial Flash and other nonvolatile memories.
Features
256K bit Ferroelectric Nonvolatile RAM
Organized as 32,768 x 8 bits
High Endurance 100 Trillion 1014 Read/Writes
10 Year Data Retention
NoDelay™ Writes
Advanced High-Reliability Ferroelectric Process
Very Fast Serial Peripheral Interface - SPI
Up to 40 MHz Frequency
Direct Hardware Replacement for Serial Flash
SPI Mode 0 & 3 CPOL, CPHA=0,0 & 1,1
Write Protection Scheme
Hardware Protection
Software Protection
Device ID
Device ID reads out Manufacturer ID & Part ID
Low Voltage, Low Power
Low Voltage Operation 2.0V – 3.6V
90 A Standby Current typ.
5 A Sleep Mode Current typ.
Industry Standard Configurations
Industrial Temperature -40 C to +85 C
8-pin “Green”/RoHS SOIC Package
8-pin “Green”/RoHS TDFN Package
频率 40 MHz
供电电流 2.5 mA
时钟频率 40 MHz
存取时间 9 ns
存取时间Max 9 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.98 mm
宽度 3.987 mm
高度 1.478 mm
封装 SOIC-8
重量 0.0086400280352 kg
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FM25V02-G Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
FM25V02A-G 赛普拉斯 | 完全替代 | FM25V02-G和FM25V02A-G的区别 |
FM28V020-SG 赛普拉斯 | 功能相似 | FM25V02-G和FM28V020-SG的区别 |
FM28V020-SGTR 赛普拉斯 | 功能相似 | FM25V02-G和FM28V020-SGTR的区别 |