FM28V202A-TG

FM28V202A 系列 2 Mb 128 K × 16 F-RAM 存储器 - TSPO II-44

F-RAM，

铁电随机存储器 F-RAM 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器

快写入速度

高耐受性

低功耗

### FRAM（铁电 RAM）

FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

立创商城:
FM28V202A-TG

欧时:
Cypress Semiconductor FM28V202A-TG 2Mbit 并行 FRAM 存储器, 128K x 16 位, 60ns, 2 → 3.6 V

贸泽:
F-RAM 2Mb, 60Mhz 128K x 16 FRAM

e络盟:
铁电存储器FRAM, 2 Mbit128K x 16并行, 33 MHz, 2 V至3.6 V电源, TSOP-II-44

艾睿:
FRAM 2Mbit Parallel Interface 3.3V 44-Pin TSOP-II Tray

安富利:
NVRAM FRAM Parallel 2M-Bit 3.3V 44-Pin TSOP-II

TME:
Memory; FRAM; parallel 16bit; 128kx16bit; 2Mbit; 2÷3.6VDC; 60ns