SMT NPN 50V 100mA
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 NPN 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装型 SMT5
得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA
安富利:
Trans Digital BJT NPN 100mA 5-Pin SMT T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 100mA 5-Pin SMT T/R
Win Source:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
DeviceMart:
TRANS DUAL NPN 50V 100MA SMT5
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SC-74-5
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SC-74-5
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FMG11AT148 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
UMG11NTR 罗姆半导体 | 功能相似 | FMG11AT148和UMG11NTR的区别 |
EMG11T2R 罗姆半导体 | 功能相似 | FMG11AT148和EMG11T2R的区别 |
EMG8T2R 罗姆半导体 | 功能相似 | FMG11AT148和EMG8T2R的区别 |