PNP -100mA -50V复杂的数字晶体管（偏置电阻内置晶体管 PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors
- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装型 SMT5
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2个PNP-预偏置 100mA 50V
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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 5-Pin SMT T/R
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TRANS DUAL PNP 50V 100MA SMT5 TR
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.3 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 250 MHz
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SC-74-5
封装 SC-74-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FMA4AT148 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FMA3AT148 罗姆半导体 | 类似代替 | FMA4AT148和FMA3AT148的区别 |
UMA4NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | FMA4AT148和UMA4NTR的区别 |
UMA3NTR 罗姆半导体 | 类似代替 | FMA4AT148和UMA3NTR的区别 |