FUJI ELECTRIC FMW79N60S1HF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 68 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3 V
N-沟道功率 MOSFET，Super J MOS，Fuji Electric
N-沟道增强模式功率 MOSFET
\- 低接通电阻
\- 低噪声
\- 低切换损耗
欧时:
### N-Channel Power MOSFET, Super J MOS, Fuji ElectricN-Channel enhancement mode power MOSFETs\- Low on-resistance \- Low noise \- Low switching loss ### MOSFET Transistors, Fuji Electric
e络盟:
FUJI ELECTRIC FMW79N60S1HF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 68 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3 V
Allied Electronics:
IC; MOSFET; N-Channel; Super Junction; 600V; 68A; 545W; TO-247-P2
针脚数 3
漏源极电阻 0.034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 545 W
阈值电压 3 V
输入电容 7000pF @10V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 68A
热阻 0.23℃/W RθJC
输入电容Ciss 7000pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 545 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-2
长度 15.9 mm
宽度 5.03 mm
高度 20.95 mm
封装 TO-247-2
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
制造应用 Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant