FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN359BN_F095 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
针脚数 3
漏源极电阻 0.026 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 650pF @15VVds
额定功率Max 460 mW
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.4 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDN359BN_F095 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDN359AN 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDN359BN_F095和FDN359AN的区别 |
FDN359BN 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDN359BN_F095和FDN359BN的区别 |