FCH190N65F_F085

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FCH190N65F_F085中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 208 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.6A

上升时间 14.5 ns

输入电容Ciss 3181pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FCH190N65F_F085
型号: FCH190N65F_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube

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