FZT1151A

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FZT1151A概述

DIODES INC.  FZT1151A  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 145 MHz, 2.5 W, 3 A, 450 hFE

The is a PNP silicon planar medium power high gain Bipolar Transistor offers 2.5W power dissipation and -3A continuous collector current.

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5A Pulse current
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Low saturation voltage
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High gain
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-55 to 150°C Operating temperature range
FZT1151A中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 2.5 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 3A

直流电流增益hFE 450

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买FZT1151A
型号: FZT1151A
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  FZT1151A  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 145 MHz, 2.5 W, 3 A, 450 hFE
替代型号FZT1151A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FZT1151A

Vishay Semiconductor 威世

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