FCP400N80Z概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V 新
N-Channel 800 V 14A Tc 195W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z MOSFET, N-CH, 800V, 14A, TO-220-3
FCP400N80Z中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 195 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 14A
输入电容Ciss 2350pF @1000VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 195W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FCP400N80Z
型号： FCP400N80Z
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V 新