FDMC8200S_F106

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FDMC8200S_F106中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 660pF @15VVds

额定功率Max 700mW, 1W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerWDFN-8

外形尺寸

封装 PowerWDFN-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMC8200S_F106
型号: FDMC8200S_F106
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP

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